高壓靜電水處理器
一、產(chǎn)品介紹
高壓靜電處理器，又稱離子棒水處理器，是采用高壓直流電產(chǎn)生的靜電場處理循環(huán)冷卻水，具有除垢防垢 殺菌滅藻 緩蝕防腐功能的純物理法水處理裝置。主要是由聚四氟乙烯與特種合金聚合的電極棒體和能產(chǎn)生高壓電的電控器兩部分組成。
將電極棒體陣列式布置在冷卻水中，電控箱輸出25000v―28000v的直流電，使棒體周圍產(chǎn)生強大的高壓靜電場，冷卻水循環(huán)往復(fù)地通過靜電場得到連續(xù)處理。
二、發(fā)展歷史
上世紀四十年代中期,比利時的工程師弗米侖(Th.Vermiren)發(fā)現(xiàn)水通過靜電場后,水中鹽類離子的能級發(fā)生改變,影響所生成的水垢晶體形態(tài),使之不易生成排列有序的硬垢.上世紀六十年代以麥克林博士為代表的美國專家開展了高壓靜電除垢,防垢研究和應(yīng)用。
我國第一臺靜電水垢控制器是在1975年研制成功的，真正的市場應(yīng)用始于上世紀80年代,由加拿大約克公司將8000V的靜電離子棒應(yīng)用在我國南方地區(qū)中央空調(diào)系統(tǒng)，發(fā)展到2007年同濟大學(xué)的18000v高壓靜電水處理器進入實際應(yīng)用,再到2013年綠盾環(huán)保公司研發(fā)了28000V高壓靜電水處理系統(tǒng),經(jīng)歷了三代技術(shù)發(fā)展階段。
三、電極安裝及安裝位置
電極采用陣列式布置在冷卻水中，垂直于水體流向。電極布置間距、數(shù)量、布置模型取決于水質(zhì)情況、系統(tǒng)情況，根據(jù)技術(shù)方案實施。每根電極均采用固定卡單獨固定在鋁型材框架上，鋁型材框架沉入到冷卻水池底部，并通過螺絲等方式固定在冷卻水池的混泥土墻上。
電極布置位置的原則是：確保所有通過循環(huán)泵的水必須通過電極陣列布置區(qū)得到處理。常規(guī)有如下布置方式：
1、吸水前池布置
2、循環(huán)水池通往水泵的流道中布置
3、循環(huán)水泵吸水口包圍布置
4、主循環(huán)管道上布置
5、水池通道口布置
四、性能參數(shù)
五、工作原理
高壓靜電水處理器，通過電控器將交流電轉(zhuǎn)化為高壓直流電，再通過信號線（高壓電線）輸送到離子棒電機端，離子棒電極在冷卻水中釋放出高壓靜電場，產(chǎn)生除垢防垢 殺菌滅藻 緩蝕降濁度作用。
1、阻垢除垢機理
在整個循環(huán)水系統(tǒng)運行過程中，由于冷卻水不斷飛濺、蒸發(fā)的原因，水中電解質(zhì)濃度不斷增加，當(dāng)超過其溶解度時，就結(jié)晶出來而產(chǎn)生水垢，水溫升高會導(dǎo)致溶解度下降，因此常沉積在換熱器的表面，降低傳熱效率。
高壓靜電循環(huán)水處理器能有效阻止硬垢生成。由于水體電位的提高，組成水分子原子的原子核正極性加強。雖然水中的溶解離子也同時得到了加強，但由于水體占絕對的質(zhì)量優(yōu)勢，故靜電場的能量絕大部分被水體接收，大量的水分子由于位能的提高，有力地阻止了水中溶解離子及自由電子的各種運動。這意味著，它們與其他物質(zhì)生成各種化合物（包含水垢）的可能性降低。另一方面，按照水分子具有極性的特性，自然狀態(tài)下的水分子是無序排列的，但在高壓靜電場中，水分子則會發(fā)生有規(guī)則的排列。可將水體中的陰離子、陽離子包圍起來，阻止其化學(xué)反應(yīng)的發(fā)生，并且在水分子和設(shè)備間形成電位差，束縛離子向設(shè)備聚集的能力，起到阻止結(jié)垢的作用，有效防止硬垢生成。
高壓靜電循環(huán)水處理器還能有效去除系統(tǒng)中的硬垢。在高壓靜電場中水垢分子間的電子結(jié)合力能得到破壞，改變了其晶體結(jié)構(gòu)，促使其疏松，并加大水分子的偶極距，增強與鹽類分子的水合能力，使水垢逐漸剝蝕、脫落。
2、殺菌滅藻機理
冷卻水塔、熱交換器或系統(tǒng)其他部分的菌藻產(chǎn)生的沉積物會影響換熱器的換熱效率，若脫落就會堵塞冷卻塔上的分水孔和水管。
高壓靜電循環(huán)水處理器的靜電場破壞了細胞膜的離子通道，改變了細胞適應(yīng)的內(nèi)控電流和生存所需的環(huán)境條件，使其喪失生存能力而死亡。同時激活后的水分子能將水中溶解氧包圍封鎖，切斷了微生物進行生命活動所需氧的來源，從而達到了較好的殺菌滅藻效果，同時也防止了生物污泥的產(chǎn)生。另一方面，高壓靜電在循環(huán)水中能產(chǎn)生臭氧，其殺菌能力比氯離子強600～3000倍，能夠有效殺滅水體中的細菌和藻類，并且阻止軟垢的生成。
3、防腐降蝕機理
腐蝕是冷卻水系統(tǒng)中嚴重的問題。水的蒸發(fā)導(dǎo)致電解質(zhì)濃度增加，冷卻塔的曝氣吸入了CO2、H2S等腐蝕性氣體增加了水的腐蝕性，垢下腐蝕常會洞穿管壁而造成系統(tǒng)停車，微生物亦會造成和加速腐蝕。
高壓靜電循環(huán)水處理器有效阻止循環(huán)水對系統(tǒng)的腐蝕。當(dāng)“高壓靜電循環(huán)水處理器”輸入220V電壓運行時，能產(chǎn)生25KV-28KV高壓靜電，作用于流經(jīng)靜電場的全部循環(huán)水，從而提高了總體水體電位。水體電位的提高，實際上改變了水的物理性能：一方面整個水體成為了一個可隨容器形狀而改變的“犧牲陽極”，從而使處于“陰極”的金屬設(shè)備得到了保護；另一方面阻礙了碳鋼表面電極微電流的流動，這意味著其正極與氧離子結(jié)合能力的降低，銹蝕的可能性變??；再一方面水體電位的提高，利用電位差原理在管壁上形成一層致密的氧化膜，有效阻止循環(huán)水對設(shè)備的腐蝕。靜電場干擾冷卻水中膠體布朗運動,形成絮凝使膠體穩(wěn)定聚集,降低水質(zhì)濁度。
六、應(yīng)用條件
1. 環(huán)境條件：海拔高度小于3000米地震烈度不大于6度 .
2. 水溫水壓：水溫不大于95℃,水壓不大于1.6Mpa.
3. 循環(huán)水質(zhì)：a)總硬度(以CaC03計算)10mm0l/L;b)細菌數(shù):<5x10?個/ml;c)其他指標應(yīng)符合GB/T50050規(guī)定。
4.補水水質(zhì)：高硬、高堿、高濁、高電導(dǎo)率水，需要有效的預(yù)處理措施；如無預(yù)處理措施, 則需要降硬、降堿措施配套使用；再生水作為補充水，其指標需符合《工業(yè)循環(huán)冷卻水處理設(shè)計規(guī)范》(GB/T50050)標準。
5. 系統(tǒng)條件：系統(tǒng)設(shè)計符合《GB/502102工業(yè)循環(huán)水冷卻設(shè)計規(guī)范》和對應(yīng)行業(yè)的循環(huán)冷卻水系統(tǒng)設(shè)計規(guī)范。其中,每小時的循環(huán)水量值不得大于保有水量。
6. 配套設(shè)備：濃縮倍數(shù)大于5的系統(tǒng)，或有嚴重季節(jié)性風(fēng)沙氣候情況、環(huán)境中揚塵較嚴重的情況，需設(shè)置高效旁流系統(tǒng)；敏感性換熱設(shè)備,應(yīng)優(yōu)化在線清潔裝置。
7.輔助措施：舊系統(tǒng)應(yīng)用時需清理水池底部污泥；水垢或腐蝕較嚴重的舊系統(tǒng)應(yīng)用時,需事先做有效地除垢及清洗預(yù)膜處理；投用本高壓靜電水處理器設(shè)備前，系統(tǒng)的管道、換熱器及其它設(shè)備, 均須進行安裝可靠的靜電接地，確保系統(tǒng)靜電為零；水處理過程中,物料泄漏如促進菌藻滋生須聯(lián)合加藥處理。
七、高壓靜電全程物理水處理技術(shù)優(yōu)勢
高壓靜電全程物理水處理技術(shù)，是獲評國內(nèi)領(lǐng)先的科技成果“高能靜電循環(huán)冷卻水抗菌除垢智能化系統(tǒng)技術(shù)研發(fā)和應(yīng)用”的簡稱。該技術(shù)以 28Kv 高壓靜電場為核心，以生物抗性旁流過濾等技術(shù)相協(xié)同，根據(jù)項目的水質(zhì)和系統(tǒng)狀況，建立針對性、系統(tǒng)化、物理法的循環(huán)水處理整體解決方案，以期實現(xiàn)“零藥劑、零結(jié)垢、高效節(jié)水、無污染排放”的目標。其優(yōu)勢表現(xiàn)為：
1、與化學(xué)加藥水處理工藝相比，本技術(shù)具有管理簡單、運維成本低、水處理效率高、高效節(jié)水和無污染排放的優(yōu)勢。高壓靜電全程物理水處理技術(shù)投入產(chǎn)出比是化學(xué)加藥水處理工藝的 10 倍以上。
2、與市場上的物理水處理技術(shù)相比，本技術(shù)是目前唯一通過科技成果評價、獲評“國內(nèi)領(lǐng)先”的物理法循環(huán)水處理技術(shù)，也是能耗最低、運維最簡單的水處理技術(shù)，也是唯一建立針對性、系統(tǒng)化解決方案的物理技術(shù)。
3、與市場上高壓靜電類水處理技術(shù)相比，本技術(shù)具有穩(wěn)定性、安全性、高效性的優(yōu)勢。在大于 25Kv 靜電水處理類技術(shù)中，本技術(shù)是唯一通過具有資質(zhì)的國家機構(gòu)檢測、安全質(zhì)量符合標準的技術(shù)，是唯一達到 IPX8 安全防護等級的靜電水處理器技術(shù)。
（來源：岳陽綠盾環(huán)?？萍加邢薰荆?/span>